Navitas 推出业界首个集成半桥氮化镓 (GaN) 功率 IC

2017-06-02 来源: 中国网(北京)

Navitas 半导体是世界上首个也是唯一的氮化镓(GaN)功率IC 公司,于2013 年在美国加州洛杉矶地区埃尔塞贡多成立, Navitas 的管理经营团队在半导体材料,电路,应用,系统和市场营销方面有多达200 年经验。多位创始人共拥有超过125 项专利发明。独有的AllGaN™设计集成了高压高性能的氮化镓功率管和氮化镓驱动逻辑电路。Navitas 氮化镓功率芯片可在移动消费市场,企业市场和 新能源市场实现更小、更节能、更低成本的方案设计。公司有25 多 项专利申请已经被授予或在受理中。

Navitas专有的AllGaN半桥氮化镓(GaN)功率IC采用iDrive™单芯片技术,集成了所有半桥功能,提供高达2MHz开关速度,在提供更快充电的同时,大大减少尺寸、成本和重量。硅的半桥组件开关速度缓慢,寄生功率损耗高,开关速度比氮化镓(GaN) 慢30倍。

第一个半桥氮化镓(GaN)功率IC产品是650V的NV6250,采用6x8mm QFN封装,具有上下管驱动器,电平转换器,两个560mohm功率FET,自举电路和多种保护功能。简单数字PWM输入信号在所有频率下能轻松驱动半桥,为电源系统设计人员提供了极大的易用性和布局灵活性。 NV6250与业界IC合作伙伴的模拟和数字控制器兼容。

 Navitas全球销售和营销副总裁Stephen Oliver说:“采用有源钳位反激电路(Active Clamp Flyback, ACF),NV6250适合用于20W至30W的智能手机快速充电器,平板电脑,IoT,可穿戴设备等的外部适配器。我们计划推出65W ACF 半桥氮化镓(GaN) IC,可用在200W LLC拓扑中”“半桥拓扑在高频应用中常常遇到的困难是如何精确,快速,高效地对上管开关供电和控制。”Delta作为全球电源设计和制造的领导者,其全球研发高级副总裁Milan M. Jovanovic博士说到 “通过集成电平转换,自举和双驱动这些重要功能,所有在氮化镓(GaN)应用中主要挑战已经解决,为MHz级高压电源系统的设计铺平了道路。”

 Navitas现在可以提供NV6250的样品和样机,NV6250及系列产品于2017年第二季度开始批量生产。中国区的合格客户请联系Navitas中国区代理商Myland Technologies (Shanghai) Co.,Ltd .